パワー半導体の世界市場に関する調査結果 2011

～2012年前半は厳しい市場環境が続くが、後半より緩やかな増加基調に転じる～

2012年01月19日
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調査要綱

矢野経済研究所では、次の調査要綱にてパワー半導体の世界市場について調査を実施した。

1．調査期間：2011年9月～12月
2．調査対象：パワー半導体メーカ、カーエレクトロニクスメーカ、ウエハメーカ
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用

＜パワー半導体とは＞
　主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiCデバイスを含む。

調査結果サマリー

◆ 2011年におけるパワー半導体の世界市場は、2010年から引き続き新興国向けの需要が拡大し、156億7,000万ドルに達する見込み
　2011年前半（1～6月）におけるパワー半導体の世界市場は、3月頃より民生機器や欧州における太陽光発電向けの受注が鈍り始めていたが、新興国向けの需要が市場を牽引し、前年を上回るペースで増加基調が続いた。8月下旬から中国向けの需要が減少しているが、通年で見ると前年比10.4%増の156億7,000万ドルとなる見込みである。

◆ 2011年のパワー半導体市場はIGBTが市場を牽引し、2009年と比較して市場全体に占めるIGBTの割合は12.4%上昇
　2011年の市場規模をデバイス別に分析すると、IGBTが市場全体の29.5%（46億2,000万ドル）を占めている。新エネルギー、白物家電、次世代自動車（HV/EV）向けのIGBTモジュールの需要拡大が進み、2009年の市場規模と比較すると、全体に占める割合は12.4%上昇する見通しである。

◆ 2013年から増加基調に戻る可能性が高く、2017年におけるパワー半導体の世界市場は261億2,000万ドルになると予測
　2011年後半から太陽光発電向け投資の冷え込み、欧州の債務不安、中国における設備投資の低迷などが続いており、2012年前半のパワー半導体は厳しい市場環境となる。ただし、民生機器における在庫調整が一巡する2012年後半から緩やかな増加基調に戻る可能性が高い。中長期的には、中国におけるエアコンの省エネ基準の改定、欧州における洋上風力発電の進展、次世代自動車（HV/EV）の普及拡大など期待され、2017年のパワー半導体の世界市場は261億2,000万ドルになると予測する。

資料発刊

資料名：	「2011-2012 進展するパワー半導体の最新動向と将来展望」

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