2017年10月19日

プレスリリース
ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場に関する調査を実施(2017年)

※プレスリリース全文(PDF)

調査要綱

 矢野経済研究所では、次の調査要綱にて国内のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の調査を実施した。

1.調査期間:2017年4月~9月
2.調査対象:ワイドバンドギャップ半導体単結晶メーカー、研究機関等
3.調査方法:当社専門研究員による直接面談、ならびに文献調査併用

<ワイドバンドギャップ半導体単結晶とは>
 本調査におけるワイドバンドギャップ半導体単結晶とは、シリコン(Si)より大きなバンドギャップを持つ半導体(化合物半導体)単結晶を指し、パワー半導体などの次世代材料として期待されている炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、ダイヤモンドを対象とする。

調査結果サマリー

◆2017年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は96億400万円と予測
 2017年の国内ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場(メーカー出荷金額ベース)を前年比108.8%の96億400万円と予測する。現状、SiC(炭化ケイ素)が先行して、本格的な成長ステージに向かっており、2020年以降の車載アプリケーションへの採用がポイントになると考える。

◆市場の成長を左右する“造る”技術 と“活かす”技術、この2つが成長エンジンとなる
 ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の成長には高品質、すなわち結晶欠陥の少ない単結晶を造る技術と、単結晶をデバイス化しモジュール化することで活かす技術が求められる。つまり、単結晶を造る技術はデバイスとして活かすために培われ、それが搭載アプリケーションへの採用比率を上げ、アプリケーション自体の数量を拡大することにつながると考える。

◆2023年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は153億円規模に拡大すると予測
 2023年の国内ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場(メーカー出荷金額ベース)を152億9,500万円と予測する。これは研究開発用途での需要の高まりや各材料による搭載アプリケーションへの採用種類の増加、そのアプリケーションの拡大が主な成長要因で、材料ごとに置かれた状況は違うものの、総じて継続的な成長が続く見通しである。

※プレスリリース全文(PDF)

※プレスリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。

この調査結果掲載の資料

資料名: 「2017年版 ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の現状と展望 ~SiC、GaN、その他~」

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