第3回 パワー半導体の最新動向セミナー

2019年5月31日(金) 11:20～19:00
品川フロントビル会議室

パワー半導体とは、電力変換で必要となる半導体デバイスの１つで、各種電力変換回路(インバータ/コンバータ）、モータ制御などで使われています。2017年の世界市場規模は177億ドルに達し、年平均6.2%で成長しています。
今後は5Gの通信基地局、データセンター、白物家電、新エネルギー（太陽光/風力発電）、産業用ロボット、クルマの電動化などがけん引役となり、2025年に299億ドルに拡大することが予測されます。
本セミナーでは、パワー半導体の主要メーカー様に講師をお願いして、最新の技術動向や製品概要、Si(シリコン)の代替として今後期待されているSiCパワー半導体の可能性などについて解説していただきます。

セミナー概要

• 11:20-11:50（講演30分） 午前の部

• 11:20～11:50
  パワー半導体の市場概況と自動車分野の可能性分析

  パワー半導体の市場動向をデバイス・需要分野別に調査・分析し、2025年までの世界市場規模を予測いたします。さらに、各国の環境規制・低燃費で進展しているクルマの電動化について取り上げ、必要となる車載用パワー半導体の搭載動向や可能性についても解説します。

  講師：株式会社矢野経済研究所　自動車産業グループ
  主任研究員 池山智也

• 12:35-17:10（講演40分　質疑応答5分） 午後の部

• 12:35-13:05
  基調講演

  経済産業省　デバイス・情報家電戦略室長　田中伸彦 氏

• 13:05-13:50
  次世代パワー半導体について（SiとSiCの使い分け）

  パワー半導体でワールドワイドシェアトップのインフィニオンテクノロジーズが、最新世代のSiC MOSFET及び最新世代IGBTの紹介、その使い分けについて解説します。

  講師：インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社　IPC事業本部　
  マーケティング＆アプリケーションサポート部
  ビジネスディベロップメント＆マーケティングマネージャー　藤森正然 氏

• 13:50-14:00 -----休憩

• 14:00-14:45
  Si or SiC

  株式会社日立パワーデバイスが提供する、パワーデバイスの最新動向について述べる。ＩＧＢＴモジュールの更なる高性能化、大容量化の動向。ＳｉＣが提供する付加価値ｖ.ｓ. コストコンフリクト。高機能Ｓｉ－ＩＧＢＴ；ｉ－Ｓｉについて。

  講師：株式会社日立パワーデバイス　主管技師長　齊藤克明 氏

• 14:45-15:30
  オン・セミコンダクターにおけるパワー半導体関連取組みについて

  自動車産業やインダストリアル産業における、環境保全、省エネルギー、自動化などの要請を受けて、新たな要素技術採用の流れが加速されつつある。
  オン・セミコンダクターにおける、これらの流れに向けた新しい代表的なデバイスの方向性と技術動向に触れながら、半導体産業に向けられた要請や、対応に向けた課題などについて触れていく。

  講師：オン・セミコンダクター　パワーソリューショングループ
  ジャパンサイトマネージャー　夏目正 氏

• 15:30-15:40 -----休憩

• 15:40-16:25
  持続可能な社会の実現に貢献するパワー半導体の最新動向

  今、地球は人口増加や工業化の急速な進展により、エネルギー・環境問題に直面しています。持続可能な社会の実現には新エネや省エネ技術の開発が不可欠で、パワ－エレクトロニクスがキーテクノロジーです。今回は、パワーエレクトロニクスを支える富士電機パワー半導体の最新動向を報告します。独自の半導体構造で低損失化，高信頼性を実現した第7世代RC－IGBT（逆導通型IGBT）、高速、超低損失化を実現したSiC-デバイスを紹介します。

  講師：富士電機株式会社　電子デバイス事業本部　営業統括部　応用技術部
  部長　五十嵐征輝 氏

• 16:25-17:10
  三菱パワーデバイスの最新技術動向

  講師：三菱電機株式会社　パワーデバイス製作所　応用技術部
  部長　松岡徹 氏

• 17:30-19:00 技術交流会

  セミナー会場内にて立食形式（軽食、ドリンク等をご用意）