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2020年以降の車載アプリケーションへの採用可否が、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の今後の成長の鍵に

シリコン(Si)より大きなバンドギャップを持つ半導体(化合物半導体)単結晶で、パワー半導体などの次世代材料として期待されているワイドバンドギャップ半導体単結晶は、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)Ga2O3(酸化ガリウム)、AlN(窒化アルミニウム)などの材料により開発されている。ワイドバンドギャップ半導体単結晶の今後の成長を左右するのが、2020年以降の車載アプリケーションへの採用可否とその時期である。車載アプリケーションへの採用により、高い信頼性のハードルを越えたことを意味し、また、安定した大量供給のための量産技術の証明となる。                                         2017年版 ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の現状と展望 ~SiC、GaN、その他~