誘電体薄膜デバイス市場

発刊日: 2015/03/09 体裁: B5 / 21頁
資料コード: R56208502 PDFサイズ: 0.6MB
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調査資料詳細データ

調査概要
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調査期間:2013年10月 ※当レポートは左記の期間に調査を実施した商品です

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リサーチ内容

半導体における必須アイテムとしての増加が見込まれる

【調査要領】
(1)調査主旨と方法
  本レポートは誘電体薄膜デバイス市場の概要を捉えることを目的とした。
  主要プレーヤーへの電話ヒアリング(2社)を主体に文献、ウェブ調査を併用した。
(2)調査期間
  2013年8月26日~9月25日(Yano E plus 2013年10月号再編集)
(3)企画・制作
  エネルギー&機械産業グループ

【収録内容】
1.誘電体とは
2.誘電体薄膜デバイスの種類
3.誘電体薄膜デバイスの種類別応用動向
  3-1.強誘電体メモリ素子(FeRAM)
    【図1.FeRAMの原理を示した模式図】
  3-2.高誘電率(High-k)ゲート膜
    【図2.High-kゲート膜の模式図】
  3-3.低誘電率(Low-k)層間絶縁膜
    【図3.Low-k層間絶縁膜の模式図】
    【図4.90nm、65nm世代における多層配線構造の概略】
4.誘電体薄膜デバイスの市場規模推移と予測
    【図・表1.誘電体薄膜デバイスの国内市場規模推移と予測(金額:2010-2015年予測)】
    【図・表2.誘電体薄膜デバイスのWW 市場規模推移と予測(金額:2010-2015年予測)】
    【図・表3.誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場規模推移と予測(金額:2010-2015年予測)】
5.誘電体薄膜デバイスの企業シェア
    【図・表4.誘電体薄膜デバイスの国内市場全体における企業シェア(2012年・全体)】
    【図・表5.誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア2012年、Low-k層間絶縁膜)】
    【図・表6.誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア(2012年、High-kゲート膜)】
    【図・表7.誘電体薄膜デバイスの用途別国内市場における企業シェア(2012年、強誘電体メモリ)】
6.誘電体薄膜デバイスの主要取組企業の動向
  6-1.株式会社アルバック
  6-2.日立化成株式会社
  6-3.富士通株式会社
  6-4.株式会社ADEKA
  6-5.JSR株式会社
7.誘電体薄膜デバイスの今後の見通し

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