第2回 パワー半導体の最新動向セミナー

2017年7月21日(金) 11:15～17:00
品川フロントビル会議室

2016年5月に東京・八重洲で開催した「パワー半導体の最新動向セミナー」は160名の方が参加し、アンケート集計結果の80%以上の方が「役に立った」と回答しております。
今回も主要パワー半導体メーカ4社（インフィニオンテクノロジーズジャパン、日立パワーデバイス、富士電機、三菱電機）に講師をお願いし、パワー半導体/パワーモジュールの最新技術動向、次世代パワー半導体についての可能性について講演して頂きます。

開催結果のお知らせ

第2回 パワー半導体の最新動向セミナー

セミナー概要

• 11:15 午前の部開会

• 11:20～11:50
  「パワーモジュールの最新マーケット動向と市場展望」

  
  

  講師：株式会社矢野経済研究所 インダストリアルテクノロジーユニット
  主任研究員 池山智也

• 13:15 午後の部開会

• 13:20～14:10
  「SiC MOSFET　CoolSiC™と最新のモジュール技術の紹介」

  今年5月に量産開始をしたSiC MOSFET、CoolSiC™の紹介と使いこなす為のポイントの説明。WBGデバイスや最新世代のIGBTに適応した、最新モジュール技術の紹介。

  講師：インフィニオン　テクノロジーズ　ジャパン株式会社
  インダストリアルパワーコントロール事業本部 マーケティングマネージャー 藤森正然 氏

• 14:15～15:05
  「日立の最新パワーモジュール技術」

  WBGデバイス、高出力密度デバイスのパッケージング技術に関し、将来のパワーモジュール技術の開発状況を紹介する。高耐圧SiCデバイス、焼結金属接合、小型・低インダクタンスパッケージ、直接水冷パッケージ等に関し解説。

  講師：株式会社日立パワーデバイス 設計本部 主管技師長
  黒須俊樹 氏

• 15:05～15:15 -----休憩

• 15:15～16:05
  「富士電機の最新パワー半導体技術」

  パワエレ技術は、持続可能な社会の実現のため重要技術である。
  パワー半導体は、パワエレ装置の低損失化・小形化を実現するキーデバイスである。
  富士電機ではSi素子である第7世代IGBT(Xシリーズ)、RC－IGBTで世界最高水準の低損失化を実現している。SiC素子においても、Si-IGBTとSiC-SBDを組合せたハイブリッドモジュールさらにはAll-SiCモジュールの展開も開始している。特にEV用、鉄道用を目指した最新のパワーモジュール（直接水冷やHPnC）や産業用X-IPMの製品紹介も実施する。

  講師：富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 営業統括部 応用技術部 部長
  五十嵐征輝 氏

• 16:10～17:00
  「高Tj化を見据えたパワー半導体モジュール最新技術」

  パワー半導体モジュールのデバイスとして、Si限界を超える新しい半導体材料であるSiCの使用が拡大する事が見込まれている。SiCのメリットとその特性を最大限に生かすための課題、その対策について最新動向を説明する。

  講師：三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 応用技術部 部長 山田順治 氏