2004年版 成長始まるSiC単結晶市場の現状と将来展望

発刊日
2004/11/22
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体裁
A4 / 78頁
資料コード
C46112200
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調査資料詳細データ

リサーチ内容

第1章 SiC単結晶市場の現状

1-1.SiC単結晶市場規模
表1-1-1.SiC単結晶WW市場規模(含む日本市場規模)
図1-1-1.SiC単結晶WW市場規模
図1-1-2.SiC単結晶WW市場規模(LED用基板用途含む)

1-2.SiC単結晶の用途分野別構成と市場動向
図1-2-1.SiC単結晶用途分野別構成
表1-2-1.SiC単結晶用途別の動向

1-3.SiC単結晶参入メーカーの状況
表1-3-1.SiC単結晶参入メーカーの事業化状況と領域


第2章 SiC単結晶の現状技術レベルと最近の動向


2-1.SiC単結晶作製方法と特徴
表2-1-1.SiC単結晶作製方法と特徴

2-2.現行市場品(一部サンプル対応品も含む)の実力
・結晶系
・インチサイズ
・マイクロパイプ欠陥
・転位レベル
・その他
表2-2-1.現行市場品の主な仕様

2-3.SiC単結晶の研究開発動向
・豊田中央研究所
・新日本製鐵
・クリー
・シクスオン
・HOYAアドバンストセミコンダクタテクノロジーズ
表2-3-1.SiC単結晶の研究開発動向

2-4.各種課題とその対応動向
・マイクロパイプ欠陥
・その他品質面
・インチサイズ・価格


第3章 SiC単結晶応用製品の可能性と課題


3-1.SiC単結晶の物性特徴と適応応用製品
◎高温動作デバイス(冷却機構の簡略化など)
◎超低損失パワーデバイス(+素子の薄型化)
◎高周波デバイス(高速、大電力動作)
表3-1-1.各種半導体材料の物性値比較
表3-1-2.SiC単結晶の物性特徴と適応応用製品

3-2.SiC単結晶応用製品の現状開発動向
・LED
・SBD
・MOSFET
・MESFET、SIT、JFET

3-3.SiC単結晶応用製品の実用化への課題


第4章 主要参入企業の最新動向

4-1.シクスオン
4-1-1.会社設立経緯
表4-1-1.会社概要
4-1-2.現行品の状況(生産方法、独自技術、現行技術レベル)
(1)生産方法と製品化
(2)技術レベル
表4-1-2.現行品の状況
図4-1-1.マルチゾーン反応炉
4-1-3.ターゲットアプリケーションと課題
表4-1-3.ターゲットアプリケーションと課題
4-1-4.インチサイズ、品質、価格の想定ロードマップ
表4-1-4.インチサイズ、品質、価格の想定ロードマップイメージ

4-2.新日本製鐵
4-2-1.SiC単結晶への取り組み経緯~現在状況
表4-2-1.SiC単結晶開発経緯と現在状況
4-2-2.現行品の状況(生産方法、独自技術、現行技術レベル)
表4-2-2.SiCウエハ一般仕様
表4-2-3.新日本製鐵の優位性
4-2-3.ターゲットアプリケーションと今後の課題
表4-2-4.ターゲットアプリケーションと課題
4-2-4.インチサイズ、量産化(価格面も含め)について

4-3.豊田中央研究所
4-3-1.SiC単結晶への取り組み経緯~開発領域
表4-3-1.取り組み経緯、事業領域
4-3-2.開発技術/RAF(Repeated A-Face growth method)成長法
(1)開発経緯
(2)開発技術
図4-3-1.RAF成長法の概念図
図4-3-2.X線トポグラフィによる結晶性評価結果
表4-3-2.従来手法とRAF手法の比較
4-3-3.今後の取り組み方向について(市場への新技術導入について)

4-4.HOYAアドバンストセミコンダクタテクノロジーズ
4-4-1.会社設立経緯
表4-4-1.会社概要
4-4-2.現行品の状況(生産方法、技術レベル)
表4-4-2.3C-SiC一般仕様
4-4-3.優位性や課題、目標
表4-4-3.当面の目標と同社(3C-SiC)の優位性
図4-4-1.HOYAアドバンストセミコンダクタテクノロジーズの3C-SiC特長

4-5.住友商事/(クリー)
4-5-1.クリー社のSiCウエハ、LED素子取り扱い
表4-5-1.住友商事のSiC関連業務
4-5-2.現行品の状況
・マイクロパイプ
・大口径化
表4-5-2.現行品の状況(量産対応レベル)
4-5-3.クリー社の優位性やSiC事業の課題、目標
表4-5-3.クリー社の優位性、SiC事業注力分野
4-5-4.SiC単結晶のLED事業での可能性
表4-5-4.SiC基板使用LEDの特徴とメリット
4-5-5.クリー社について

4-6.エコトロン
4-6-1.会社設立経緯
表4-6-1.事業概要
4-6-2.事業ターゲットと適応技術
4-6-3.現在の開発状況と今後の課題
表4-6-2.現在の開発状況と課題、克服例
4-6-4.今後の事業目標
表4-6-3.今後の事業目標
4-6-5.現状のSiC単結晶について

4-7.電力中央研究所
4-7-1.SiC半導体開発経緯
4-7-2.事業ターゲットと開発技術
・マイクロパイプ閉塞技術開発の経緯
図4-7-1.マイクロパイプ密度を大幅に低減させたエピタキシャル結晶成長手法
図4-7-2.マイクロパイプ欠陥分解の様子
図4-7-3.マイクロパイプ欠陥閉塞技術開発の経緯
4-7-3.今後の課題

4-8.新日本無線
4-8-1.SiC高周波デバイス開発経緯
表4-8-1.開発経緯、事業領域
4-8-2.現在の開発状況
表4-8-2.主な開発品の特性
図4-8-1.SiC高周波デバイスの出力電圧と動作周波数
4-8-3.今後の課題と事業展望
表4-8-3.今後の課題と事業化
4-8-4.単結晶への要望

4-9.東芝
4-9-1.SiCデバイス事業領域と開発経緯
表4-9-1.開発経緯、事業領域
4-9-2.現在の開発状況
表4-9-2.現在の開発状況
図4-9-1.新型接合終端構造とその効果
図4-9-2.SiC-SBD開発品の特性オン抵抗
図4-9 -3.SiC-SIT開発品の特性オン抵抗
4-9-3.今後の課題、SiC単結晶について

4-10.松下電器産業
4-10-1.SiCデバイス事業領域と開発経緯
表4-10-1.開発経緯、事業領域
4-10-2.現在の開発状況
図4-10-1.SiC- DACFET開発の経緯
図4-10-2.DACFETの構造
図4-10-3.DACFETのMOSチャネル移動度のゲートバイアス電圧依存性
4-10-3.今後の課題と事業展望
表4-10-2.今後の課題と事業化目標
4-10-4.SiC単結晶について


第5章 SiC単結晶の今後の市場展望

5-1.SiC単結晶応用製品の今後の実用化見通し
表5-1-1.SiCの導入が考えられる半導体デバイスとその変換割合
表5-1-2.主要分野におけるSiCデバイスの市場規模予測
表5-1-3.主な家電機器向けの超低損失電力素子導入予測

5-2.SiC単結晶の市場規模予測
(1)SiC単結晶市場規模予測
表5-2-1.SiC単結晶市場規模予測
図5-2-1.SiC単結晶市場規模予測
(2)主な推定条件
表5-2-2.SiC単結晶市場規模予測(Siデバイス種類ベース)

5-3.SiC単結晶、および応用製品の今後の研究開発方向性
表5-3-1.SiC単結晶の今後の研究開発方向性イメージ

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