次世代先端デバイス動向(6)超伝導デバイス(2019年9月調査)

発刊日
2020/12/15
体裁
B5 / 33頁
資料コード
R62200602
PDFサイズ
3.1MB
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調査資料詳細データ

調査概要
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本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2019年10月号 に掲載されたものです。

リサーチ内容

1.超伝導とは
2.SCエレクトロニクスは次世代先端デバイスのホープ!
3.SCデバイスの代表的応用事例
  3-1.超伝導量子干渉デバイス(SQUID)
  3-2.テラヘルツ波発振・受信デバイス
  3-3.単一磁束量子(SFQ)デバイス
  3-4.レーザーデバイス
4.SCデバイスの市場規模予測
  【図・表1.SCデバイスの国内およびWW市場規模予測
  (金額:220-2040年予測)】
  【図・表2.SCデバイスの用途分野別WW市場規模予測
  (金額:220-2040年予測)】
5. SCデバイスに関連する企業・研究機関の取組動向
  5-1.国立大学法人大阪大学
    (1)テラヘルツナノ科学研究分野の創製
    【図1.テラヘルツ科学とナノ科学の融合イメージ
    (HFD:Hierarchic Functional  Development、
    SCF:Stimulated Cooperative Function、SC:Superconductor、
    QW:Quantum Well、NC:Nanocarbon)】
    (2)ナノ材料の光・テラヘルツ科学
    【図2.(左)グラフェンのテラヘルツ導電率、
    (中)マルチフェロイック(BiFeO3)の光応答、
    (右)メタマテリアルのテラヘルツ電磁応答】
    (3)テラヘルツバイオ科学
    【図3.テラヘルツバイオチップ】
  5-2.国立大学法人京都大学
    【図4.BSCCOテラヘルツ光源の(a)概念図と(b)顕微鏡写真】
  5-3.国立研究開発情報通信研究機構(NICT)
  5-4.国立大学法人電気通信大学
    【図5.(上)9ビットDAC回路、(下)周波数変調結果】
    【図6.(上)FM-SC-FM SETと外部バイアス電源の構成、
    (下)4つの状態に対するI/V特性比較】
  5-5.国立大学法人東京工業大学
  5-6.国立大学法人東北大学
  5-7.国立大学法人名古屋大学
    (1)SFQ回路による超高速超低消費電力情報処理
    【図7.スーパーコンピューターのアクセラレーター用に試作した
    演算器アレイ(チップ試作:産業技術総合研究所)】
    (2)磁性ジョセフソン素子を用いた次世代量子デバイスの実現
    【図8.磁性ジョセフソン素子を利用したSC量子コンピューター素子
    (共同試作:情報通信研究機構)】
    (3)SCセンサーシステムによる中性子を用いたイメージング
    【図9.100万画素中性子イメージング用プロトタイプチップ(左)と
    実装システム(右)】
    (4)高性能・新機能デバイスの創出
    【図10.高温超伝導体による500GHz 1/2分周回路(左)と
    マイクロ波ナノ構造理想整流素子(右)】
  5-8.日本電信電話株式会社(NTT)
    【図11.SCFQの電子顕微鏡写真】
    【図12.ESRの概念図】
    【図13.SCFQのアレイ化の概念図】
  5-9.国立開発法人物質・材料研究機構(NIMS)
  5-10.国立大学法人山梨大学
    (1)SCマルチバンド帯域通過フィルターの研究
    【図14.3つの帯域通過フィルターを持つ
    トリバンド帯域通過フィルター】
  (2)送信用SCフィルターの研究
    【図15.新しいフィルター構造】
  (3)高周波用超伝導線材の開発とその応用研究
    【図16.超伝導体の応用分野】
  5-11.国立大学法人横浜国立大学
    【図17.SCSFQ回路の構造】
  5-12.国立研究開発法人理化学研究所
6.SCデバイスの将来展望

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