次世代先端デバイス動向(1)単原子層デバイス(2019年4月調査)

発刊日
2020/12/15
体裁
B5 / 31頁
資料コード
R62200102
PDFサイズ
1.6MB
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調査資料詳細データ

調査概要
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本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2019年5月号 に掲載されたものです。

リサーチ内容

1.「次世代先端デバイス動向」シリーズを始めるにあたり
2.単原子層とは
3.代表的な単原子層とデバイス化
  3-1.グラフェン
  3-2.シリセン(Silicene)、ゲルマネン(Germanene)、
  スタネン(Stanene)
  3-3.遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)
4.単原子層デバイスの応用分野
  4-1.電子デバイス
  4-2.光デバイス
  4-3.触媒
5.単原子層デバイスの市場規模予測
  【図・表1.単原子層デバイスの国内およびWW市場規模予測
  (金額:2020-2040年予測)】
  【図・表2.単原子層デバイスの応用分野別WW市場規模予測
  (金額:2020-2040年予測)】
6.単原子層デバイスに関連する企業・研究機関の取組動向
  6-1.国立大学法人岡山大学
  6-2.国立大学法人京都大学
    【図1.単層TMDC上の励起子の模式図】
  6-3.国立大学法人神戸大学
  6-4.国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)
  6-5.公立大学法人首都大学東京
    【図2.典型的なTMDC原子層の模式図】
    【図3.TMDC製造プロセスの模式図】
  6-6.国立大学法人筑波大学
    【図4.液体GaとアモルファスCの固液界面で
    グラフェンが形成される模式図】
  6-7.国立大学法人東京工業大学
    【図5.研究アプローチの仕方を示した模式図】
    【図6.界面制御による新規デバイスの創製の模式図】
    【図7.メモリーデバイスの模式図】
  6-8.国立大学法人東京大学
  6-9.国立大学法人東北大学
  6-10.国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS)
  6-11.国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)
    【図8.(a)作製した2層グラフェンNEMSセンサーの構造、
    (b)斜めグラフェン梁の模式図、
    (c)実際に作製した素子のAFM写真】
    【図9.斜め2層グラフェン梁の表面に物理吸着するCO2分子の様子
    (左)2層グラフェン表面付近での静電ポテンシャル分布(右上)
    基板電界をオフにした場合、CO2分子が離れていく軌跡(右下)】
  6-12.国立研究開発法人理化学研究所
7.単原子層デバイスの将来展望

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