次世代パワー半導体用接合技術の動向(2017年12月調査)

発刊日
2018/04/13
体裁
B5 / 27頁
資料コード
R60200202
PDFサイズ
3.0MB
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調査資料詳細データ

調査概要
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本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2018年1月号 に掲載されたものです。

リサーチ内容

~SiCやGaNなど、次世代パワー半導体の動作に欠かせないキーテクノロジーに!~
 
1.パワー半導体の新たな胎動と課題
 
2.次世代パワー半導体に不可欠なマイクロ接合技術
 
3.次世代パワー半導体用の個別接合技術
 
3-1.ナノテルミット反応接合法
3-2.Agナノ粒子接合法
3-3.表面活性化常温接合法
3-4.高耐食性貴金属フリーCu焼結接合法
 
4.代表的な次世代パワー半導体用接合材料
 
4-1.Au系
4-2.Ag系
4-3.Bi/Ag系
4-4.Sn/Cu系
4-5.Zn/Al系
4-6.Ni系
 
5.パワー半導体の市場規模推移と予測
 
【図・表1.パワー半導体の国内およびWW市場規模推移と予測(金額:2016-2021年予測)】
【図・表2.パワー半導体の種類別国内市場規模推移と予測(金額:2016-2021年予測)】
【図・表3.パワー半導体の需要分野別国内市場規模推移と予測(金額:2016-2021年予測)】
 
6.次世代パワー半導体用接合技術に係わる取組企業・団体の動向事例
 
6-1.国立大学法人大阪大学
6-2.国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)
  【図1.高速・高温動作パワーモジュールの試作状況】
  【図2.耐高温接合材料の俯瞰図】
6-3.株式会社ダイセル
  【図3.「CELTOL®IA」を用いたGaN接合サンプル(左)と接合界面のSEM写真(右)】
6-4.田中貴金属工業株式会社
6-5.株式会社デンソー
6-6.株式会社ナプラ
6-7.日本アビオニクス株式会社
  【図4.真空はんだ付け装置によるパワーデバイスのはんだ付け事例】
  【図5.ファイバーレーザーを用いたパワーデバイスの端子溶接
6-8.国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS)
  【図6.表面間に中間層が残存しても150℃以下・低温でCu-Cu接合が達成された事例】
  【図7. Vapor-assisted VUV 接合手法の模式図】
  【図8. Vapor-Assisted VUV手法を用いた装置の模式図(左)と外観(右)】
6-9.三菱マテリアル株式会社
 
7.次世代パワー半導体用接合材料の将来展望

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