次世代先端デバイス動向(8)ナノワイヤデバイス（2019年11月調査）
※紙媒体で資料をご利用される場合は、書籍版とのセット購入をご検討ください。書籍版が無い【PDF商品のみ】取り扱いの調査資料もございますので、何卒ご了承ください。
調査資料詳細データ
本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2019年12月号 に掲載されたものです。
1．今、ナノワイヤが熱い！
2．ナノワイヤデバイスの可能性
3．では、FinFETは、いつ、ナノワイヤに置き換わるのか？
4．ナノワイヤデバイスの応用事例
4-1．トランジスター
4-2．光素子
4-3．太陽電池
4-4．熱電変換素子
4-5．その他
5．ナノワイヤデバイスの市場規模予測
【図・表1．ナノワイヤデバイスの国内およびWW市場規模予測
（金額：2020-2040年予測）】
【図・表2．ナノワイヤデバイスの応用分野別WW市場規模予測
（金額：2020-2040年予測）】
6．ナノワイヤデバイスに関連する企業・研究機関の取組動向
6-1．国立大学法人大阪大学
【図1．ZnOナノワイヤを埋め込んだ薄膜の断面SEM像】
【図2．ナノワイヤを埋め込んだ透明薄膜における電子伝導と
フォノン伝導の概念図】
6-2．国立大学法人九州大学
【図3．NAPLDによって作製したZnOナノワイヤのSEM写真】
6-3．学校法人慶應義塾大学
【図4．CNTテンプレートに形成されたNbNナノワイヤの模式図と
電子顕微鏡像】
【図5．NbNナノワイヤにおいて観察された熱・量子位相スリップ】
6-4．公立大学法人首都大学東京
【図6．TMMナノワイヤの結晶構造（左）とTEM像（右）】
6-5．学校法人上智大学
(1)VLS成長
【図7．VLS成長の模式図】
(2)In自己触媒ナノワイヤ
【図8．自己触媒VLS法のプロセス】
【図9．シェル層の成長方法（VPE法）のプロセス】
【図10．成長したコアマルチシェルナノワイヤとPL特性比較】
6-6．国立大学法人東京大学
【図11．Si-MOSトランジスター構造の変遷】
6-7．国立大学法人名古屋大学
【図12．（上）ナノワイヤを用いた微生物破砕、
（下）ナノワイヤと微生物がナノワイヤによって
引っ張られている電子顕微鏡写真】
6-8．国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
【図13．半導体と強磁性体との複合構造からなるスピンFET】
(1)半導体ナノワイヤ構造の作製
【図14．トップダウン手法によるナノワイヤ
J. Appl. Phys. 120(2016)142123】
【図15．ボトムアップ手法によるナノワイヤ】
(2)半導体- 強磁性体複合構造の作製
【図16．ZnO/Coコアシェルナノワイヤ RSC Adv. 8(2018)632】
【図17．MnAs/InAs複合構造によるスピンデバイス】
6-9．国立大学法人北海道大学
【図18．(a)Si上のIII - V ナノワイヤ選択成長模式図、
(b)V 族原子で置換されたSi(111)表面、
(c)III 族原子で終端されたSi(111)表面、
(d)Si(111)上のInGaAsナノワイヤ選択成長結果】
6-10．学校法人早稲田大学
【図19．渡邉孝信教授が提案した新デバイス構造】
【図20．プレーナ型と直立型のデバイス構造】
【図21．発電密度のベンチマーク】
7．ナノワイヤデバイスの将来展望
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