高密度LSIの最新動向(2020年1月調査)

発刊日
2020/12/15
体裁
B5 / 27頁
資料コード
R62201002
PDFサイズ
3.8MB
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調査資料詳細データ

調査概要
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本調査レポートは、定期刊行物 Yano E plus 2020年2月号 に掲載されたものです。

リサーチ内容

1.半導体はどこまで微細化するのか
2.高密度LSIプロセスの現在の主流
  2-1.FinFET
  2-2.FD-SOI
3.高密度LSIの市場規模推移と予測
  【図・表1.高密度LSIのWW市場規模推移と予測
  (2018-2023年予測)】
  【図・表2.高密度LSIのタイプ別WW市場規模推移と予測
  (2018-2023年予測)】
4.高密度LSIの市場シェア
  【図・表3.高密度LSIのWW市場における企業シェア(2018年)】
5.高密度LSIに関する企業・研究機関の取組動向
  5-1.国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研)
    (1)高品質Geプラットフォーム基板の研究
    【図1.微細加工した高品質Ge単結晶パターンのトランスファー】
    (2)遷移金属ダイカルコゲナイドMOSFETの研究
    【図2.単原子層カルコゲナイドを用いた
    多機能搭載3次元LSI集積化技術の模式図】
    (3)シリコンLSIの微細化限界を打破する
    モノリシック3次元集積化技術
    【図3.モノリシック3次元集積概念図】
    【図4.(上)InGaAs, (下)SiGe 積層例
    (FIRSTプログラム, GNC)】
  5-2.学校法人湘南工科大学
    【図5.Fe-FETを用いた積層型ロジック回路の構成】
    【図6.2入力1出力のLUT回路の構成】
  5-3.国立大学法人東京工業大学
    【図7.マイクロバンプタイプとバンプレスタイプの
    断面構造の比較図】
    【図8.マイクロバンプタイプとバンプレスタイプの
    温度上昇の比較グラフ】
  5-4.GlobalFoundries(GF)〔米国〕
  5-5.International Business Machines Corporation(IBM)〔米国〕
  5-6.Intel Corporation〔米国〕
  5-7.NXP Semiconductors N.V.(NXP)〔オランダ〕
  5-8.Soitec S.A.〔フランス〕
  5-9.STMicroelectronics NV(ST)〔オランダ〕
  5-10.Synopsys International Ltd.(Synopsys)〔米国〕
  5-11.Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
    (TSMC)〔台湾〕
6.FinFETとFD-SOIの先にあるもの

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