2020年以降の車載アプリケーションへの採用可否が、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の今後の成長の鍵に
2018 / 02 / 16 : 更新
シリコン（Si）より大きなバンドギャップを持つ半導体（化合物半導体）単結晶で、パワー半導体などの次世代材料として期待されているワイドバンドギャップ半導体単結晶は、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）Ga2O3（酸化ガリウム）、AlN（窒化アルミニウム）などの材料により開発されている。
セルロースナノファイバーの用途開発・市場拡大のカギは、樹脂や繊維などとの複合化に
2018 / 03 / 26 : 更新
2016年から2017年にかけて、メーカー各社の商業生産を目的とした量産プラントの稼働も始まり、2017年末時点の国内セルロースナノファイバー（年間）生産能力は880t/年の見込みとなる。